 для обчислень в оперативній пам'яті.){kind=link}
Društvo Samsung objavio je da je prvi u svijetu demonstrirao MRAM (magnetoresistive random access memory) tehnologiju za računalstvo u memoriji. Rad tvrtke pod naslovom "Cross-Array Magnetoresistive Devices for In-Memory Computing" objavljen je u časopisu Nature.
Podaci se obično pohranjuju u DRAM procesora velike brzine. Međutim, MRAM mijenja situaciju i integrira pohranu podataka i računanje, dopuštajući da se oboje dogodi na istom čipu. Teoretski, operacije se u ovom slučaju izvode mnogo brže, jer nema potrebe za prijenosom podataka iz memorije procesora i obrnuto. Osim toga, postiže se značajna ušteda električne energije jer se obrada podataka u memoriji odvija vrlo paralelno.
Ova demonstracija je otkriće jer, dok su druga računalna rješenja u memoriji kao što su PRAM i RRAM već demonstrirana, radni MRAM je prilično teško postići, uglavnom zbog njegove niske otpornosti. Također je bilo nemoguće iskoristiti MRAM-ovu prednost energetske učinkovitosti u standardnoj računalnoj arhitekturi u memoriji.
Društvo Samsung omogućio je MRAM s vlastitim čipom MRAM polja koji koristi zbroj otpora umjesto standardnog zbroja struje za rješavanje problema otpora.
Rješenje je testirano korištenjem aplikacija umjetne inteligencije (AI) i pokazalo je 98% točnosti u klasificiranju rukom napisanih znamenki i 93% točnosti u detektiranju lica na slikama. Samsung tvrdi da se MRAM tehnologija može koristiti za AI obradu i stvaranje visokoučinkovitih AI čipova.
Dr. Seunchul Jung, prvi autor rada, rekao je: “Računanje u pamćenju slično je mozgu u smislu da se u mozgu računanje također odvija u biološkim memorijskim mrežama ili sinapsama – točkama u kojima se neuroni međusobno dodiruju. Zapravo, iako računanje koje izvodi naša MRAM mreža za sada ima drugačiju svrhu od izračuna koje izvodi mozak, takva memorijska mreža čvrstog stanja mogla bi se u budućnosti koristiti kao platforma za simulaciju mozga simulacijom komunikacije moždane sinapse."
Pročitajte također: