 для авіації і космосу.){kind=link}
Upravo je najavljeno lansiranje 1 Gbit (128 MB) STT-MRAM diskretnih memorijskih čipova za aplikacije u zrakoplovstvu. Ovo je višestruko gušća magnetorezistivna memorija od ranije ponuđene. Stvarna gustoća postavljanja STT-MRAM memorijskih elemenata povećava se 64 puta, ako govorimo o proizvodima tvrtke Micross, koja proizvodi ultra-pouzdano elektroničko punjenje za zrakoplovnu i obrambenu industriju.
STT-MRAM Micross čipovi temelje se na tehnologiji američke tvrtke Avalanche Technology. Avalanche je 2006. godine osnovao Peter Estakhri, porijeklom iz Lexara i Cirrus Logica. Osim Avalanchea, Everspin i Samsung. Prvi radi u suradnji s tvrtkom GlobalFoundries i fokusira se na izdavanje ugrađenog i diskretnog STT-MRAM-a s tehnološkim standardima od 22 nm, a drugi (Samsung) dok oslobađa STT-MRAM u obliku 28 nm blokova ugrađenih u kontrolere. Usput, blok STT-MRAM-a kapaciteta 1 Gb Samsung predstavljen prije gotovo tri godine.
Zasluga Microssa može se smatrati izdavanjem diskretnog 1Gbit STT-MRAM-a, koji je jednostavan za korištenje u elektronici umjesto NAND-flash-a. STT-MRAM memorija radi u većem temperaturnom rasponu (od -40° C do 125° C) s gotovo beskonačnim brojem ciklusa ponovnog pisanja. Ne boji se zračenja i promjena temperature i može čuvati podatke u ćelijama do 10 godina, a da ne spominjemo veću brzinu čitanja i pisanja te manju potrošnju energije.
Podsjetimo da STT-MRAM memorija pohranjuje podatke u ćelije u obliku magnetizacije. Taj je učinak otkriven 1974. tijekom razvoja tvrdih diskova u IBM-u. Točnije, tada je otkriven magnetootporni efekt koji je poslužio kao temelj MRAM tehnologije. Mnogo kasnije, predloženo je da se promijeni magnetizacija memorijskog sloja korištenjem efekta prijenosa spina elektrona (magnetskog momenta). Tako je nazivu MRAM dodana kratica STT. Smjer spintronike u elektronici temelji se na prijenosu spina, što uvelike smanjuje potrošnju čipova zbog iznimno malih struja u procesu.
Pročitajte također: