Očekivano je da Samsung najavit će početak masovne proizvodnje 3nm čipova sljedeći tjedan, javlja Yonhap News. Time je tvrtka ispred TSMC-a, za koju se očekuje da će započeti proizvodnju 3nm čipova u drugoj polovici ove godine.
U usporedbi s 5nm procesom (koji je korišten za Snapdragon 888 i Exynos 2100), Samsungov 3nm čvor će smanjiti područje za 35%, povećati performanse za 30% i smanjiti potrošnju energije za 50%.
To će se postići prelaskom na dizajn tranzistora Gate-All-Around (GAA). To je sljedeći korak nakon FinFET-a, jer omogućuje smanjenje veličine tranzistora bez ugrožavanja njihove sposobnosti provođenja struje. GAAFET dizajn korišten na 3nm čvoru prikazan je na slici ispod.
Američki predsjednik Joe Biden posjetio je tvornicu prošlog mjeseca Samsung u Pyeongtaeku kako bi sudjelovali u demonstraciji 3nm tehnologije Samsung. Prošle godine pojavile su se glasine da bi tvrtka mogla uložiti 10 milijardi dolara u izgradnju 3nm ljevaonice u Teksasu. Ta su ulaganja narasla na 17 milijardi dolara, a početak rada tvornice očekuje se 2024. godine.
U svakom slučaju, najveća briga kod kreiranja novog čvora je izlaz. U listopadu prošle godine Samsung izjavio je da se performanse 3nm procesa "približavaju istoj razini kao i 4nm proces". Iako tvrtka nije predstavila službene brojke, analitičari vjeruju da 4 nm čvor Samsung bila povezana s problemima u proizvodnji.
3nm čvor druge generacije očekuje se 2023. godine, a planovi tvrtke također uključuju 2nm čvor temeljen na MBCFET-u 2025. godine.
Možete pomoći Ukrajini u borbi protiv ruskih osvajača. Najbolji način da to učinite je donirati sredstva Oružanim snagama Ukrajine putem Savelife ili putem službene stranice NBU.
Pročitajte također:
Ostavi odgovor